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DMG8880LK3
50
V GS = 8.0V
30
40
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
25
20
V DS = 5V
30
15
20
V GS = 3.2V
10
T A = 150°C
T A = 125°C
10
V GS = 3.0V
5
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = 2.2V
V GS = 2.5V
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
0
1 2 3
4
0.020
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.03
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5V
0.015
0.02
T A = 150°C
0.010
V GS = 4.5V
T A = 125°C
T A = 85°C
0.005
V GS = 8.0V
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
10 20 30 40
50
0
0
5
10 15 20 25 30
1.7
1.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 10V
0.025
0.020
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
I D = 20A
0.015
1.1
0.9
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.010
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.7
0.005
V GS = 10V
I D = 20A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG8880LK3
Document number: DS32052 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
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DMG963020R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
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